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通過采用最先進的溝槽柵工藝技術和完美的結構設計， 紫光微電子的MOSFET實現(xiàn)功率密度最大化， 從而大幅度降低電流傳導過程中的導通功率損耗。 同時， 電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定，其有效降低了柵極電荷 (Qg)，尤且是柵極漏極間的電荷 (Qgd)，從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。 通過采用這些先進的技術手段， MOSFET的FOM (Qg x Rdson)得以實現(xiàn)行行業(yè)內的領先水平。