650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS
基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進的多次外延(Multi-EPI)工藝技術制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過安規(guī)認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開關損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開關頻率;DFN超薄外形封裝,可應用于小體積PD快速充電器。
反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開關電源,mos導通時,輸出變壓器充當電感,電能轉化為磁能,此時輸出回路無電流,相反,當mos關斷時,輸出變壓器釋放能量,磁能轉化為電能,輸出回路有電流。反激電路元器件少,電路簡單成本低體積小可同時輸出多路互相隔離的電路
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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快充 | TPG65R125MH |
TPG65R175MH | |
TPG65R280MH | |
TPG65R360M | |
TPG65R365MH | |
TPG70R125MH | |
TPG70R600M | |
適配器 | TPA65R950M |
TPA65R600M | |
TPA65R360M | |
TPA70R260M | |
TPA70R170M | |
單級PFC | TPD70R360M |
TPR70R360M | |
TPA70R260M | |
TPA73R190M | |
TPA73R300M | |
TPA73R400M | |
TPP80R270M | |
TPB80R400M |
DT MOS/Trench MOS
DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵(或稱為分立柵)MOSFET技術(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,從而降低器件的比導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。
Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設計和版圖布局,可以提高器件各個方向的電流均勻性,有效防止在極限工作下部分區(qū)域的提前失效,增強了產(chǎn)品功率密度和可靠性
同步整流Rectification MOSFET在開關電源中用于提高電源的效率,它替代輸出整流二極管,利用其導通內阻低的特點彌補二極管導通損耗高的缺陷。
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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DT | TSD120N10AT |
TSG120N10AT | |
TSP120N10AT | |
TSG048N10AT | |
Trench | TTP145N08A |
TTB145N08A | |
TMB140N08A | |
TMB140N10A |
600V/650V Multi-EPI SJ MOS
基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進的多次外延(Multi-EPI)工藝技術制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過安規(guī)認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開關損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開關頻率。
PFC(功率因數(shù)校正)拓撲常見的工作模式有CCM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型和CRM臨界型三種,PFC拓撲對MOS管的要求比較高,在保證系統(tǒng)效率和溫升的條件下,要盡可能的提升系統(tǒng)穩(wěn)定性用來改善電子或電力設備裝置的功率因素,用于提高配電設備及其配線的利用率,以降低設備的裝置容量;
紫光微可以提供 600V,650V ,700V 的多次外延( Multi-EPI )SJMOS,PFC可選擇。
600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS
帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振半橋電路應用,具有高速快恢復二極管(FRD),短的反向恢復時間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時會導致恢復損耗的應用。
LLC拓撲常用于大功率諧振式變換器,是150W至1.6kW應用的理想選擇。因采用零電壓開關(ZVS)而實現(xiàn)了非常高的工作效率,在大幅度減小開關損耗的同時還可以有更高的功率密度,可廣泛應用于服務器電源、電動汽車充電樁等領域
無錫紫光微提供的BV為650V的MutliEPISJ-MOS可用于諧波半橋電源應用,也提供具有高速快恢復二極管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二極管具有短的反向恢復時間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時會導致恢復損耗的應用
600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS
帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用,具有高速快恢復二極管(FRD),短的反向恢復時間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時會導致恢復損耗的應用。
逆變電路工作原理開關T1、T4閉合,T2、T3斷開: 開關T1、T4斷開,T2、T3閉合當以頻率fS交替切換開關T1、T4和 T2 、T3 時 , 則 在 負載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負交替的方波),其周期 Ts=1/fS,這樣,就將直流電壓變成了交流電壓
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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Multi-EPI SJ | TPW60R040MFD |
TPB60R090MFD | |
TPA60R170MFD | |
TPA60R260MFD | |
TPW65R044MFD | |
TPA65R100MFD | |
TPP65R135MFD | |
TPA65R190MFD | |
TPA65R300MFD |
Multi-EPI SJ MOS
基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進的多次外延(Multi-EPI)工藝技術制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過安規(guī)認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開關損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開關頻率。
正激式開關電源在硬開關應用中有單管正激和雙管正激兩種,對于單管正激,由于變壓器需要增加額外的磁復位繞組,在主開關MOS管關斷時,MOS管會承受兩倍于輸入電壓的應力,因此該類拓撲應用中我們推薦高BV的MOS管,以應對電壓變化帶來的沖擊。
雙管正激,它是非常穩(wěn)定的拓撲結構,工作頻率不高,也不會出現(xiàn)過大的沖擊電流,對MOS管的要求相對寬松,每個mos理論上的電壓為直流母線電壓,對選取相對較低耐壓mos,同時Rdson較小,可進一步提高效率通常應用于計算機主電源,中等功率通信電源,變頻器等輔助電源
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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單管正激 | TPA70R260M |
TPA70R300M | |
TPA70R600M | |
TPA73R300M | |
TPA73R400M | |
雙管正激 | TPA60R080M |
TPR60R110M | |
TPA60R160M | |
TPA60R240M | |
TPA60R330M |